(资料图片)

东微半导(688261)

东微半导是国内高性能功率器件的头部设计公司，18-21年公司扣非归母净利润年均复合增速达95.1%。公司专注于半导体器件结构技术创新，拥有多项半导体器件核心专利，以高压超级结MOSFET为代表的产品打破了大功率直流充电桩等领域国外厂商的长期垄断。公司18-21年进入高速成长期，营业收入年均复合增速为72.3%；扣非归母净利润年均复合增速为95.1%。

超级结MOSFET国产化率仍低，汽车、新能源与5G等应用带来功率器件增量需求。超级结MOSFET是突破“硅极限”的高端功率器件，目前国产化率仅18%，有较大的存量替代空间。此外，超级结MOSFET的耐压特性及导通性能主要适用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩及各类大功率电源中，因此在汽车、新能源与5G带来的增量场景驱动下，25年全球超级结MOSFET市场有望由22年10.5亿美元增至12亿美元。

公司产品性能比肩国际一流厂商，研发成果转换效率高。公司器件设计能力强，以公司超级结GreenMOS系列产品为例，通过自主器件设计和工艺优化，产品性能已达国际一流水平，是国内最早进入工业和汽车相关应用领域的功率器件厂商之一。21年公司研发人员占比达44%，人均营收贡献1043万元，远超行业平均水平，研发成果转换效率高。

公司1H22汽车与工业级应用占比已超70%，客户覆盖各领域行业龙头。截至1H22，公司直流充电桩收入(YoY+60%)占比超17%，光伏逆变器收入(YoY+300%)占比约10%，车载充电机收入(YoY+1350%)占比超14%，各类工业及通信电源收入(YoY+58%)占比约21%；客户覆盖比亚迪、客户A、麦格米特、昱能科技与宁德时代等各领域龙头厂商。在多领域需求驱动下，公司3Q22库存周转天数约为66.4天，明显低于行业平均水平(111.6天)。

公司器件产品不断革新，TGBT与碳化硅等新产品打开多维增长空间。预计22-25年全球IGBT市场将12.1%复合增速增长至136亿美元，碳化硅器件市场将以42%复合增速增长至43亿美元，行业处于加速渗透期。公司自主设计的新产品IGBT（TGBT）与超级硅已获客户认可并批量应用，碳化硅相关产品已推出，未来有望随行业发展加速渗透，成为公司新的增长点。